中性子入射トランスミューテーションについて

山本 和喜; 米田 政夫; 佐川 尚司; 一色 正彦*; 山下 清信

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省エネ化を継続的に推進していくために、将来にわたって堅調にSiパワーデバイスを提供していくことは重要であり、その高効率化の効果がもたらす省エネ効果並びに二酸化炭素削減効果は大きいとされている。電力変換に使用されているパワーデバイスとして絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が使用されており、その多くに中性子照射によって製造された中性子ドーピングシリコン(NTD-Si)が用いられている。こうしたことから数年後にはNTD-Siの需要がその供給容量を越える勢いで拡大している。しかし、パワーデバイス用シリコンの需要の増大に対し、現状の日本のNTD-Siの生産量はすでに頭打ち状態になっている。こうしたことから、NTD-Siの増産を図るべく、現行6インチ径シリコン照射装置の改良に取り組んでいる。中性子転換ドーピング法について概説し、現在、取り組んでいる10年から20年先に必要となる大口径(12インチ径)NTD-Siの照射技術の開発の状況について報告する。